Anche oggi non si sono fatti attendere nuovi rumors circa iPhone 8, il futuro smartphone di Cupertino atteso per il mese di settembre. Quest’oggi a tenere banco sono alcune delle specifiche tecniche del device, inerenti in particolare ai tagli di memoria di massa e alla quantità di RAM del terminale.
Sul social network cinese Weibo è apparsa oggi un’immagine del modulo flash NAND da 64GB, di produzione SamDisk, che dovrebbe essere installato sul prossimo iPhone 8; secondo l’autore del post i moduli saranno forniti anche in tagli sia da 256GB, prodotti insieme a Toshiba, che da 512GB prodotti da Samsung e SK Hynix.
Sempre in giornata ha parlato anche il noto analista Ming-Chi Kuo di KGI, riferendo a proposito della memoria RAM disponibile sui prossimi iPhone. Secondo l’analista sia iPhone 8 che iPhone 7S Plus disporranno di 3GB di memoria RAM, che scenderanno a 2GB per il fratello minore 7S. Kuo sostiene inoltre che le la velocità di trasferimento delle DRAM installate sui prossimi iPhone sara circa il 10-15% superiore rispetto ai modelli precedenti, così da favorire le funzionalità di realtà aumentata.
Come sempre vi invitiamo a trattare queste informazioni solamente come rumors siccome solo Apple potrà darci a settembre tutte le certezze in merito ai prossimi smartphone del 2017.
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